| |
Такая многоликая память - 2
На горизонте - фазовая память
Судя по всему, на замену широко распространенной флэш-памяти скоро может прийти фазовая память, так как, включая ее преимущества, предлагает более высокую скорость работы, сравнимую с DRAM или SRAM.
 В качестве альтернативы флэш-памяти молодая компания Nanochip, получив недавно солидное финансирование от Intel, готовит более радикальную и многообещающую MEMS-технологию, которая позволит существенно повысить емкость энергонезависимой памяти. Напомним, технология чипов MEMS основана на сочетании микроэлектромеханических элементов и памяти с изменяемым фазовым состоянием. Исследования в этой области компания начала еще год-полтора назад.
Данная технология, не ограниченная возможностями литографии, как ожидается, позволит создавать высокоемкие (более 1 Гбайт) чипы памяти, которые, к тому же, будут дешевле, чем флэш-память.
В качестве признака состояния ячейки памяти в этом случае используется изменение фазового состояния халькогенида (chalcogenide), или GST, - вещества, способного под воздействием нагрева и электрических полей переходить из непроводящего аморфного состояния в проводящее кристаллическое. При изменении фазового состояния происходит переключение между логическим нулем и единицей. Такая память, известная как память с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), а также как PRAM и Ovonic Unified Memory, не требует электропитания для сохранения своего состояния, то есть является энергонезависимой.
Конструктивно память будет совмещать в себе микроэлектромеханическую систему для управления специальными головками чтения/записи и память с изменяемым фазовым состоянием (PCM, PRAM) в виде очень тонких пластин с покрытием из халькогенидного слоя, в который и будет осуществляться запись данных. То есть, по принципу работы новые накопители можно будет сравнить с традиционными жесткими дисками, только очень маленького размера. Так, на начальном этапе размеры однобитных ячеек памяти Nanochip составят 15х15 нанометров, а в перспективе данный показатель планируется довести до 2х3 нанометра. Таким образом, плотность хранения данных теоретически может составить 1 Тбит на квадратный дюйм и выше.
|
