| |
Такая многоликая память - 2
Александр Альбов (С.-Петербург)
 Всего два месяца назад мы писали о новинках в области компьютерной памяти (http://www.magicpc.spb.ru/journal/200712/10/01.php), а технологии продолжают стремительно развиваться. Растет спрос на более емкие и быстрые носители, производители создают новые, более совершенные продукты по более приемлемым ценам, многие компании готовят прорыв в области создания энергонезависимых чипов памяти - те или иные альтернативы флэш-памяти.
"Двухэтажная" флэш-память
 На Международной конференции по твердотельным схемам ISSCC 2008 в Сан-Франциско компания Samsung Electronics представила свою очередную разработку в области флэш-памяти - 45-нм чип плотностью 4 Гбит, ячейки которого сформированы в виде объемной, двухслойной структуры.
Ячейки имеют структуру с плавающим затвором, в которой используется многоуровневая технология MLC (2 бита на ячейку). Площадь ячейки равна 0,0021 кв. мкм, что, по словам компании, является минимальным значением на сегодняшний день.
Чтобы создать "двухэтажные" MLC-чипы высокой плотности, специалистам Samsung понадобилось разработать несколько сопутствующих технологий. Во-первых, это касается структуры, получившей название "общая линия разряда" (Shared Bitline), которая позволяет верхнему и нижнему слою ячеек использовать совместно коммутатор линии выборки бита и страничный буфер.
Коммутаторы и буферы расположены в том же кристалле монолитного кремния, что и нижний слой ячеек, но они обслуживают по две ячейки. Это позволило избежать увеличения площади чипа. Декодеры линий выполнены раздельно для ячеек верхнего и нижнего слоя, чтобы избежать помех при записи и чтении информации. Кроме того, параметры записи, такие, как уровни напряжения и количество импульсов для верхнего и нижнего массива ячеек, различаются, поскольку ячейки разных слоев имеют разные пороговые характеристики.
Как утверждается, прототип обеспечивает запись со скоростью 2,5 Мбит/с.
|
