| |
Такая многоликая память
Новая технология позволит хранить в одном слое до 100 Гбит (12,5 Гбайт) данных. Для сравнения, современная одноуровневая NAND-память, используемая в плеерах iPod, флэш-накопителях и т. д. способна хранить лишь 16 Гбит. Обычно для увеличения емкости производители используют дополнительные уровни (слои). К примеру, Samsung в октябре заявила о четырехкратном увеличении емкости NAND-чипов. По технологии Samsung биты данных хрянятся в многоуровневых ячейках и задействует 30-нм техпроцесс. Однако разработка Toshiba представляется более перспективной: она позволит изготавливать либо более миниатюрные чипы памяти, либо чипы, которые будут вмещать в 6,25 раз больше информации.
Помимо уменьшения размеров, японские инженеры заменили материал нитридного слоя с Si3N4 на Si9N10, который отличается более высоким содержанием кремния. Это позволило существенно увеличить концентрацию электронов и улучшить работоспособность памяти. Как утверждается, чипы с использованием нового материала могут работать без сбоев более 10 лет.
ReRAM, более дешевая и быстрая альтернатива флэш-памяти
 Миниатюризация флэш-памяти вскоре, вероятно, достигнет своих пределов, и потому на арену выходят новые разработки, предлагающие альтернативную энергонезависимую память, такие как Resistive RAM (ReRAM). Они представляют интерес по той причине, что являются более дешевой в производстве альтернативой очень популярной сейчас флэш-памяти.
Энергонезависимая ReRAM совмещает в себе два полезных свойства: невысокое потребление электроэнергии и изменяемое сопротивление при приложении напряжения.
В лабораториях Fujitsu несколько изменили структуру имеющейся ReRAM, добавив к оксиду никеля (NiO) титан (Ti). Фактически инженеры из Fujitsu Labs предложили использовать пленку, легированную титаном (Ti:NiO) вместо пленки из оксида никеля (NiO). Благодаря этому им удалось успешно понизить силу тока в транзисторе, необходимую для осуществления операций стирания. Теперь эта величина находится в пределах 100 мА. Время на стирание памяти составляет порядка 5 нс - это в 10000 раз быстрее, чем у ReRAM без применения титана. В то же время колебания сопротивления были сокращены до одной десятой по сравнению с существующими ReRAM-модулями.
Предполагается, что в будущем открытие японских ученых позволит существенно повысить производительность мобильных устройств, в которых будет применяться память нового типа.
|
