НА ГЛАВНУЮ НАЗАД
КОМПЬЮТЕРЫ
ПЕРИФЕРИЯ
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
ИНТЕРНЕТ
HOMO COMPUTERUS
КОМПЛИТ
КОМПЬЮТЕРНАЯ ГАЗЕТА
     
1 . 2 . 3 . 4

Такая многоликая память

Память с "плавающим телом"

В течение многих лет компании по всему миру бьются над продвижением концепции памяти с "плавающим телом", которая сулит возможность изготовления ячейки памяти на всего одном транзисторе, что обеспечило бы самую высокую плотность и быстродействие. Память Z-RAM, как и другие разработки в этом ряду, использует ячейки на одном транзисторе, изготавливаемом по технологии SOI (silicon-on-insulator). Недавно об очередном шаге в этом направлении заявила компания Innovative Silicon, разработавшая технологию Z-RAM. Суть заключается в том, что ее новая ячейка Z-RAM работает по принципу, фундаментально отличающемуся от принципа работы других типов памяти с "плавающим телом". Она включает не только MOS-транзистор, как обычно, но и внутренний биполярный транзистор, присутствующий во всех структурах SOI MOS.

В результате, как утверждается, новая ячейка превосходит обычные во всех отношениях: по скорости, энергопотреблению, времени хранения и простоте изготовления. Улучшены операции чтения и записи. Запись улучшена за счет увеличения количества сохраняемого заряда, а чтение - за счет повышенной чувствительности, являющейся результатом лучших характеристик усиления, свойственных биполярному транзистору.

Туннельная флэш-память

Корпорация Toshiba объявила об успешной разработке новой туннельной технологии, которая в будущем позволит создавать флэш-память намного большей емкости, на базе нового, 10-нанометрового технологического процесса.

Разработка Toshiba представляет собой двойной туннельный слой, контролирующий перемещение электронов в структуре памяти, которую разработчики назвали SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) и в которой электроны удерживаются в нитридном слое изолирующего затвора.

Физически новая структура представляет собой кремниевую прослойку толщиной 1,2 нм между 1-нанометровыми оксидными пленками. Переключение осуществляется посредством изменения величины напряжения на затворе. Такой тип памяти способен хранить информацию очень долгое время и обеспечивает высокую скорость записи и одновременного удаления битов.