| |
Такая многоликая память
 Демонстрация памяти состоялась на форуме Rambus Developer Forum в Токио. Вице-президент компании Кевин Доннелли отметил, что на сегодня пропускная способность новой памяти намного превышает реальную необходимость, но в 2011 году, когда, предположительно, память с такими характеристиками появится на рынке, она будет востребована и найдет широкое применение ввиду невысокой стоимости.
Скоростная MRAM-память
Японская корпорация NEC сообщила о новой разработке - наиболее скоростной на текущий момент микросхеме магниторезистивной памяти, или MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Напомним, что MRAM-память совмещает достоинства динамической и флэш-памяти является одним из наиболее вероятных кандидатов на замену современным DRAM, флэш и даже статической оперативной памяти SRAM. Среди основных ее преимуществ отмечается энергонезависимость и высокая скорость работы (малое время доступа). Более того, разработчики сообщают о SRAM-совместимости, что означает возможность интеграции в LSI-микросхемы (в том числе, центральные процессоры) в качестве замены SRAM-памяти.
Главной особенностью MRAM-памяти, разработанной сотрудниками NEC, является высокая рабочая частота, которая составляет 250 МГц - рекордное значение на сегодняшний день. Отметим, что время вывода данных составляет всего 3,7 нс. При этом емкость микросхем довольно высока - 1 Мбит, если рассматривать их в качестве замены SRAM-памяти, объем которой в современных процессорах составляет от нескольких до десятков мегабайт. Наконец, магниторезистивная память обладает относительно небольшим энергопотреблением, характеристики чипов MRAM не ухудшаются во время эксплуатации.
Пока речи об использовании MRAM-памяти в серийных образцах микросхем с высокой степенью интеграции не идет, но сотрудники NEC продолжают работу. Согласно их прогнозам, будущие LSI-микросхемы, именно благодаря новому типу памяти, станут не только более производительными, но и менее "прожорливыми" в плане потребляемой мощности.
Нужно заметить, что исследования в области магниторезистивной памяти проводят и другие компании, в частности, Toshiba и Freescale Semiconductor. Кстати, последняя еще в середине прошлого года выпустила микрочипы MRAM емкостью 4 Мбит.
|
