Транзистор меняется на наших глазах
Глава четвертая. Сверхбыстрый нанотранзистор
Корейские ученые сообщили о разработке прототипа самых быстрых в мире нано-транзисторов, которые могут найти применение в таких высокотехнологичных сферах, как спутники и различные телекоммуникационные устройства.
В Национальном университете Сеула утверждают, что разработанный ими 15-нанометровый транзистор HEMT (High Electron Mobility Transistor) работает на максимальной тактовой частоте, которая составляет 610 ГГц. До сих пор рекордсменом был 25-нанометровый транзистор, созданный японской компанией Fujitsu, однако у него максимальная частота составляла 562 ГГц.
Корейские специалисты говорят, что разработали новую технологию, которая позволяет многократно улучшить процессы взаимодействия электронов в транзисторах. Еще одним важным преимуществом новых транзисторов является дешевизна: их производство примерно в два раза дешевле, чем современные промышленные подходы к созданию транзисторов.
А вот тут уже придется добавить бочку дегтя в ложку меда. Во-первых, транзистор требует охлаждения, не воспроизводимого нигде, кроме как в лабораторных условиях - авторы разработки охлаждали его жидким азотом до температуры, близкой к абсолютному нулю. Во-вторых, чтобы построить этот транзистор, они передвигали атомы при помощи атомарного силового микроскопа. В-третьих, транзистор испытывался не с полезной нагрузкой (в виде расчетов), а на холостом ходу. А это далеко не одно и то же. Впрочем, скоро сказка сказывается, да не скоро дело делается. Может быть через какое-то время у них все получится.
Глава пятая. Экранный транзистор из нанотрубок
Корейские ученые создали гибкий и прозрачный транзистор из нанотрубок.
Исследователи из университета Hanyang University сконструировали тонкопленочный транзистор из объединенных в сеть одностенных углеродных нанотрубок (SWNT) на стеклянной подложке.
Это далеко не первый эксперимент с одностенными нанотрубками, однако корейским ученым удалось добиться повышенной плотности SWNT-элементов, выращиваемых при более низкой температуре.
В основе процесса лежит принцип формирования SWNT-сети с использованием методики, именуемой химическим осаждением из паровой фазы. В сформированной таким образом сети нанотрубки перекрывают друг друга, формируя непрерывную токопроводящую дорожку. Однако при достижении порога перколяции элементы теряют свою проводимость, что позволяет использовать их в качестве переключателей в транзисторах.
Сети нанотрубок могут с успехом применяться при изготовлении различных тонкопленочных электронных компонентов (например, плоских дисплейных панелей и оптико-электронного оборудования).
| 
