НА ГЛАВНУЮ НАЗАД
КОМПЬЮТЕРЫ
ПЕРИФЕРИЯ
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
ИНТЕРНЕТ
МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПК
HOMO COMPUTERUS
КОМПЛИТ
КОМПЬЮТЕРНАЯ ГАЗЕТА
     
1 . 2

Диалектика флэш-памяти

Согласно законам диалектики, всякое эволюционное развитие рано или поздно исчерпывает себя, и происходит скачок, революция, например, переход количества в качество или наоборот. Похоже, нечто подобное может произойти и с флэш-памятью.

Конечно, технология производства флэш-памяти продолжает успешно развиваться. Уже восемь лет подряд максимальная емкость базовых компонентов флэш-памяти удваивается каждый год, а семь лет подряд происходит ежегодное усложнение технологического процесса.

Так, недавно корпорация Samsung разработала первый чип памяти объемом 64 Гбит (8 Гбайт), то есть в 4 раза больше, чем самые емкие чипы, которые доступны сейчас на рынке. Новый вид памяти, разработанный Samsung, представляет собой многоуровневый (MLC - Multilevel chip) чип NAND, изготовленный по техпроцессу 30 нм. Напомним, что 1 нанометр - это одна миллиардная часть метра. Толщина человеческого волоса составляет около 80000 нанометров. Подразумевается, что каждый "коренной" NAND-чип состоит из нескольких слоев флэш-памяти (в данном случае их 8, по 1 Гбайт каждый). Объединение из 16 таких MLC-чипов позволит создавать карты памяти SD или CF-II емкостью 128 Гбайт, а твердотельный диск SSD с 64 уровнями может хранить до 512 Гбайт данных. Для изготовления 30-нанометровых микросхем флэш-памяти разработчики использовали разработанную еще в 2006 году технологию Charge Trap Flash (CTF) и новейшую технологию SaDPT (Self-aligned Double Patterning Technology - двойная компоновка с самовыравниванием). Последняя предполагает формирование структур в два этапа.

На фото: 64-гигабитные чипы в упаковке, подложка с 30-нм чипами флэш-памяти Samsung

Результаты действительно впечатляют. Напомним, что в прошлом году компания представила 32-гигабитные NAND-модули, созданные на базе 40-нанометрового технологического процесса, а сегодня Samsung продает модули, созданные по 50-нм процессу. Шесть лет назад, в 2001 году, чип NAND-памяти имел максимальную емкость 1 Гбит и выпускался по техпроцессу 100 нм. Большинство существующих твердотельных дисков SSD обладают объемом не выше 80 Гбайт. На карте памяти емкостью 128 Гбайт можно будет хранить примерно 32 тысячи песен или 80 фильмов (120 часов) в формате DVD. Samsung планирует запустить серийное производство новых чипов памяти к 2009 году.